#ifndef __BQ_VERIFIED_OPS_H
#define __BQ_VERIFIED_OPS_H

#include "stm32f10x.h"
#include "bq25756_regs.h"

/*===========================================================================
 * BQ25756 值校验操作层 — LiPow 风格
 *
 * 设计原则：
 *   写寄存器前 clamp 值到合法范围（防止电池过充/过放）
 *   读寄存器返回物理量（mV/mA），不是原始寄存器值
 *   读改写在单次 I2C 事务中完成（不会出现读和写之间被中断的竞态）
 *===========================================================================*/

/*===========================================================================
 * 写操作（带范围校验）
 * 返回 0=成功, -1=I2C 错误
 *===========================================================================*/

int BQ25756_WriteChargeCurrent(uint32_t mA);    /* 400~20000mA, clamped */
int BQ25756_WriteInputCurrentDPM(uint32_t mA);  /* 400~20000mA */
int BQ25756_WriteInputVoltageDPM(uint32_t mV);  /* 4200~65000mV */
int BQ25756_WritePrechargeCurrent(uint32_t mA); /* 250~10000mA */
int BQ25756_WriteTermCurrent(uint32_t mA);      /* 250~10000mA */

/*===========================================================================
 * 读操作（返回物理量，失败返回负值）
 * I2C 通信失败时返回值 < 0
 *===========================================================================*/

int32_t BQ25756_ReadVBAT_mV(void);   /* 电池电压 mV，失败=-1 */
int32_t BQ25756_ReadIBAT_mA(void);   /* 充电电流 mA，失败=-32768 */
int32_t BQ25756_ReadVAC_mV(void);    /* 输入电压 mV */
int32_t BQ25756_ReadIAC_mA(void);    /* 输入电流 mA（0.8mA/LSB）*/
int32_t BQ25756_ReadVFB_mV(void);    /* FB 电压 mV（1mV/LSB, 0~2047）*/

/*===========================================================================
 * 位操作（读改写，不干扰同寄存器的其他 bit）
 *===========================================================================*/

int BQ25756_SetEN_CHG(uint8_t enable);   /* 充电使能/禁用 */
int BQ25756_SetEN_HIZ(uint8_t enable);   /* HIZ 模式开关 */
int BQ25756_ResetWD(void);               /* 复位看门狗 */

/**
 * 通用寄存器位修改（读 → 改 → 写）
 * 例：BQ25756_ModifyReg(0x15, 0x30, BQ25756_WD_DISABLE);
 */
int BQ25756_ModifyReg(uint8_t reg, uint8_t mask, uint8_t value);

#endif