/**
 * BQ25756 值校验层 — 在底层 I2C 和寄存器操作之间加一层值保护
 *
 * 核心思想（来自 LiPow）：写寄存器前检查值是否在合法范围内，不在则 clamp。
 * 电机控制/电源系统中，非法寄存器值可能直接损坏电池或 MOSFET。
 *
 * 用法：
 *   替代原来的 BQ25756_WriteReg16(0x02, raw_value)
 *   改为 BQ25756_WriteChargeCurrent(mA)，内部自动计算寄存器值 + 范围检查
 */

#include "bq25756_regs.h"
#include "bq_i2c_opt.h"

/*===========================================================================
 * 充电参数范围常量
 *===========================================================================*/

/* 充电电流：50mA/LSB，范围 400~20000mA */
#define CHG_CURRENT_MIN_MA      400
#define CHG_CURRENT_MAX_MA      20000

/* 输入电流 DPM */
#define IIN_CURRENT_MIN_MA      400
#define IIN_CURRENT_MAX_MA      20000

/* 输入电压 DPM：20mV/LSB，范围 4200~65000mV */
#define VIN_DPV_MIN_MV          4200
#define VIN_DPV_MAX_MV          65000

/* 预充电流：50mA/LSB，范围 250~10000mA */
#define PRECHG_MIN_MA           250
#define PRECHG_MAX_MA           10000

/* 终止电流：同上 */
#define TERM_MIN_MA             250
#define TERM_MAX_MA             10000

/*===========================================================================
 * 值钳位
 *===========================================================================*/

static inline uint32_t clamp_u32(uint32_t v, uint32_t lo, uint32_t hi)
{
    if (v < lo) return lo;
    if (v > hi) return hi;
    return v;
}

/*===========================================================================
 * 带校验的写入函数
 * 返回值：0=成功，-1=I2C 错误
 *===========================================================================*/

int BQ25756_WriteChargeCurrent(uint32_t mA)
{
    mA = clamp_u32(mA, CHG_CURRENT_MIN_MA, CHG_CURRENT_MAX_MA);
    uint16_t raw = (uint16_t)((mA / 50) << 2);
    return BQ_I2C_Write2Bytes(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_CHG_CURRENT, raw);
}

int BQ25756_WriteInputCurrentDPM(uint32_t mA)
{
    mA = clamp_u32(mA, IIN_CURRENT_MIN_MA, IIN_CURRENT_MAX_MA);
    uint16_t raw = (uint16_t)((mA / 50) << 2);
    return BQ_I2C_Write2Bytes(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_INPUT_CURRENT_DPM, raw);
}

int BQ25756_WriteInputVoltageDPM(uint32_t mV)
{
    mV = clamp_u32(mV, VIN_DPV_MIN_MV, VIN_DPV_MAX_MV);
    uint16_t raw = (uint16_t)(mV / 20);
    return BQ_I2C_Write2Bytes(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_INPUT_VOLTAGE_DPM, raw);
}

int BQ25756_WritePrechargeCurrent(uint32_t mA)
{
    mA = clamp_u32(mA, PRECHG_MIN_MA, PRECHG_MAX_MA);
    uint16_t raw = (uint16_t)((mA / 50) << 2);
    return BQ_I2C_Write2Bytes(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_PRECHG_CURRENT, raw);
}

int BQ25756_WriteTermCurrent(uint32_t mA)
{
    mA = clamp_u32(mA, TERM_MIN_MA, TERM_MAX_MA);
    uint16_t raw = (uint16_t)((mA / 50) << 2);
    return BQ_I2C_Write2Bytes(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_TERM_CURRENT, raw);
}

/*===========================================================================
 * ADC 读数 — 带 scale/offset 换算（LiPow 风格）
 *
 * 核心改进：驱动层返回物理量（mV/mA），不是原始寄存器值
 * 调用者不需要知道 2mV/LSB 还是 0.8mA/LSB 这些细节
 *===========================================================================*/

/**
 * @brief 读取电池电压，返回 mV
 * @return <0 表示 I2C 错误，>=0 表示电压值
 */
int32_t BQ25756_ReadVBAT_mV(void)
{
    uint16_t raw = 0;
    if (BQ_I2C_Read2Bytes(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_VBAT_ADC, &raw) != 0)
        return -1;
    return (int32_t)((uint32_t)raw * 2);  /* 2mV/LSB */
}

/**
 * @brief 读取充电电流，返回 mA（正值=充电，负值=放电）
 * @return I2C 失败返回 -32768
 */
int32_t BQ25756_ReadIBAT_mA(void)
{
    uint16_t raw = 0;
    if (BQ_I2C_Read2Bytes(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_IBAT_ADC, &raw) != 0)
        return -32768;
    return (int32_t)((int16_t)raw) * 2;   /* 2mA/LSB，2s 补码 */
}

/**
 * @brief 读取输入电压，返回 mV
 */
int32_t BQ25756_ReadVAC_mV(void)
{
    uint16_t raw = 0;
    if (BQ_I2C_Read2Bytes(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_VAC_ADC, &raw) != 0)
        return -1;
    return (int32_t)((uint32_t)raw * 2);  /* 2mV/LSB */
}

/**
 * @brief 读取输入电流，返回 mA
 * 注意：BQ25756 IAC_ADC = 0.8mA/LSB
 */
int32_t BQ25756_ReadIAC_mA(void)
{
    uint16_t raw = 0;
    if (BQ_I2C_Read2Bytes(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_IAC_ADC, &raw) != 0)
        return -1;
    /* 0.8mA/LSB: raw * 0.8 = raw * 8 / 10 */
    return (int32_t)((int16_t)raw) * 8 / 10;
}

/**
 * @brief 读取 FB 反馈电压，返回 mV（1mV/LSB，范围 0-2047mV）
 */
int32_t BQ25756_ReadVFB_mV(void)
{
    uint16_t raw = 0;
    if (BQ_I2C_Read2Bytes(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_VFB_ADC, &raw) != 0)
        return -1;
    return (int32_t)(raw);  /* 1mV/LSB */
}

/*===========================================================================
 * 8 位寄存器控制函数 — 读改写模式（避免误改其他位）
 *===========================================================================*/

int BQ25756_SetEN_CHG(uint8_t enable)
{
    uint8_t val;
    if (BQ_I2C_ReadByte(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_CHARGER_CTRL, &val) != 0)
        return -1;
    if (enable) val |=  BQ25756_EN_CHG;
    else        val &= ~BQ25756_EN_CHG;
    return BQ_I2C_WriteByte(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_CHARGER_CTRL, val);
}

int BQ25756_SetEN_HIZ(uint8_t enable)
{
    uint8_t val;
    if (BQ_I2C_ReadByte(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_CHARGER_CTRL, &val) != 0)
        return -1;
    if (enable) val |=  BQ25756_EN_HIZ;
    else        val &= ~BQ25756_EN_HIZ;
    return BQ_I2C_WriteByte(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_CHARGER_CTRL, val);
}

int BQ25756_ResetWD(void)
{
    uint8_t val;
    if (BQ_I2C_ReadByte(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_CHARGER_CTRL, &val) != 0)
        return -1;
    val |= BQ25756_WD_RST;
    return BQ_I2C_WriteByte(BQ25756_I2C_ADDR, BQ25756_REG_CHARGER_CTRL, val);
}

/**
 * @brief 写一个字节到任意 8 位寄存器（读改写，保护其他位）
 */
int BQ25756_ModifyReg(uint8_t reg, uint8_t mask, uint8_t value)
{
    uint8_t val;
    if (BQ_I2C_ReadByte(BQ25756_I2C_ADDR, reg, &val) != 0)
        return -1;
    val = (val & ~mask) | (value & mask);
    return BQ_I2C_WriteByte(BQ25756_I2C_ADDR, reg, val);
}